ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว > APT54GA60BD30
APT54GA60BD30
APT54GA60BD30
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT54GA60BD30
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
IGBT 600V 96A 416W TO247
สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณในสต็อก:
75057 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days (We have stocks to ship now)
เวลาในการผลิต:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
1.APT54GA60BD30.pdf2.APT54GA60BD30.pdf
การสอบสวน

บทนำ

We can supply APT54GA60BD30, use the request quote form to request APT54GA60BD30 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT54GA60BD30.The price and lead time for APT54GA60BD30 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT54GA60BD30.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

หมายเลขชิ้นส่วนภายใน RO-APT54GA60BD30
เงื่อนไข Original New
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
การสลักด้านบน email us
การแทนที่ See datasheet
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):600V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:2.5V @ 15V, 32A
ทดสอบสภาพ:400V, 32A, 4.7 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:17ns/112ns
การสลับพลังงาน:534µJ (on), 466µJ (off)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-247 [B]
ชุด:-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:416W
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3
ชื่ออื่น:APT54GA60BD30MI
APT54GA60BD30MI-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:29 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
ประเภทขาเข้า:Standard
ประเภท IGBT:PT
ค่าใช้จ่ายประตู:28nC
คำอธิบายโดยละเอียด:IGBT PT 600V 96A 416W Through Hole TO-247 [B]
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):161A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):96A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT54GA60BD30

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT53F80J Image APT53F80J Microsemi MOSFET N-CH 800V 57A SOT-227 การสอบสวน
APT56F60B2 Image APT56F60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 60A TO-247 การสอบสวน
APT51M50J Image APT51M50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 การสอบสวน
APT53N60SC6 Image APT53N60SC6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 53A D3PAK การสอบสวน
APT56M50L Image APT56M50L Microsemi MOSFET N-CH 500V 56A TO-264 การสอบสวน
APT5518BFLLG Image APT5518BFLLG Microsemi MOSFET N-CH 550V 31A TO-247 การสอบสวน
APT56F50L Image APT56F50L Microsemi MOSFET N-CH 500V 56A TO-264 การสอบสวน
APT56F50B2 Image APT56F50B2 Microsemi MOSFET N-CH 500V 56A TO-247 การสอบสวน
APT50MC120JCU2 Image APT50MC120JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V SOT227 การสอบสวน
APT55M50JFLL Image APT55M50JFLL Microsemi MOSFET N-CH 550V 77A SOT-227 การสอบสวน
APT55M65JFLL Image APT55M65JFLL Microsemi MOSFET N-CH 550V 63A SOT-227 การสอบสวน
APT5510JFLL Image APT5510JFLL Microsemi MOSFET N-CH 550V 44A SOT-227 การสอบสวน
APT50N60JCCU2 Image APT50N60JCCU2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 การสอบสวน
APT50N60JCU2 Image APT50N60JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 52A SOT-227 การสอบสวน
APT53N60BC6 Image APT53N60BC6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 53A TO-247 การสอบสวน
APT54GA60B Image APT54GA60B Microsemi IGBT 600V 96A 416W TO-247 การสอบสวน
APT50M75JLLU3 Image APT50M75JLLU3 Microsemi MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 การสอบสวน
APT51F50J Image APT51F50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 การสอบสวน
APT56F60L Image APT56F60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 60A TO-264 การสอบสวน
APT56M50B2 Image APT56M50B2 Microsemi MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX การสอบสวน

ข่าว Latest