ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > APT45M100J
APT45M100J
APT45M100J
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT45M100J
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227
สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณในสต็อก:
59506 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days (We have stocks to ship now)
เวลาในการผลิต:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
1.APT45M100J.pdf2.APT45M100J.pdf
การสอบสวน

บทนำ

We can supply APT45M100J, use the request quote form to request APT45M100J pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT45M100J.The price and lead time for APT45M100J depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT45M100J.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

หมายเลขชิ้นส่วนภายใน RO-APT45M100J
เงื่อนไข Original New
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
การสลักด้านบน email us
การแทนที่ See datasheet
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:5V @ 2.5mA
Vgs (สูงสุด):±30V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SOT-227
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:180 mOhm @ 33A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):960W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT-227-4, miniBLOC
ชื่ออื่น:APT45M100JMI
APT45M100JMI-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:18500pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:570nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):1000V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 1000V 45A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:45A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT45M100J

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT47N65BC3G Image APT47N65BC3G Microsemi MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 การสอบสวน
APT46GA90JD40 Image APT46GA90JD40 Microsemi IGBT 900V 87A 284W SOT-227 การสอบสวน
APT45GP120J Image APT45GP120J Microsemi IGBT 1200V 75A 329W SOT227 การสอบสวน
APT47M60J Image APT47M60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 การสอบสวน
APT44GA60BD30 Image APT44GA60BD30 Microsemi IGBT 600V 78A 337W TO-247 การสอบสวน
APT47F60J Image APT47F60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 การสอบสวน
APT48M80L Image APT48M80L Microsemi MOSFET N-CH 800V 48A TO-264 การสอบสวน
APT45GP120BG Image APT45GP120BG Microsemi IGBT 1200V 100A 625W TO247 การสอบสวน
APT45GR65B2DU30 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO การสอบสวน
APT47N65SCS3G Microsemi MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 การสอบสวน
APT47GA60JD40 Image APT47GA60JD40 Microsemi Corporation IGBT 600V 87A 283W SOT-227 การสอบสวน
APT45GR65B Image APT45GR65B Microsemi IGBT 650V 92A 357W TO-247 การสอบสวน
APT48M80B2 Image APT48M80B2 Microsemi MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX การสอบสวน
APT44GA60BD30C Image APT44GA60BD30C Microsemi IGBT 600V 78A 337W TO247 การสอบสวน
APT47N60SC3G Image APT47N60SC3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK การสอบสวน
APT45GP120B2DQ2G Image APT45GP120B2DQ2G Microsemi IGBT 1200V 113A 625W TMAX การสอบสวน
APT45GR65BSCD10 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO การสอบสวน
APT45GR65SSCD10 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO การสอบสวน
APT47N60BC3G Image APT47N60BC3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 การสอบสวน
APT45GP120JDQ2 Image APT45GP120JDQ2 Microsemi IGBT 1200V 75A 329W SOT227 การสอบสวน

ข่าว Latest