ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว > APT35GA90B
APT35GA90B
APT35GA90B
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT35GA90B
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
IGBT 900V 63A 290W TO-247
สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณในสต็อก:
30170 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days (We have stocks to ship now)
เวลาในการผลิต:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
APT35GA90B.pdf
การสอบสวน

บทนำ

We can supply APT35GA90B, use the request quote form to request APT35GA90B pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT35GA90B.The price and lead time for APT35GA90B depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT35GA90B.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

หมายเลขชิ้นส่วนภายใน RO-APT35GA90B
เงื่อนไข Original New
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
การสลักด้านบน email us
การแทนที่ See datasheet
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):900V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:3.1V @ 15V, 18A
ทดสอบสภาพ:600V, 18A, 10 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:12ns/104ns
การสลับพลังงาน:642µJ (on), 382µJ (off)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-247 [B]
ชุด:POWER MOS 8™
เพาเวอร์ - แม็กซ์:290W
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:26 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
ประเภทขาเข้า:Standard
ประเภท IGBT:PT
ค่าใช้จ่ายประตู:84nC
คำอธิบายโดยละเอียด:IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B]
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):105A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):63A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT35GA90B

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT35GP120BG Image APT35GP120BG Microsemi IGBT 1200V 96A 543W TO247 การสอบสวน
APT35GT120JU2 Image APT35GT120JU2 Microsemi IGBT 1200V 35A 260W SOT-227 การสอบสวน
APT35GA90BD15 Image APT35GA90BD15 Microsemi IGBT 900V 63A 290W TO247 การสอบสวน
APT35GN120BG Image APT35GN120BG Microsemi IGBT 1200V 94A 379W TO247 การสอบสวน
APT35SM70B Microsemi MOSFET N-CH 700V TO247 การสอบสวน
APT35GP120J Image APT35GP120J Microsemi IGBT 1200V 64A 284W SOT227 การสอบสวน
APT34F60BG Image APT34F60BG Microsemi MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 การสอบสวน
APT35DL120HJ Image APT35DL120HJ Microsemi DIODE MODULE 1.2KV SOT227 การสอบสวน
APT34N80B2C3G Image APT34N80B2C3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX การสอบสวน
APT34F60B Image APT34F60B Microsemi MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 การสอบสวน
APT35GN120L2DQ2G Image APT35GN120L2DQ2G Microsemi IGBT 1200V 94A 379W TO264 การสอบสวน
APT34F100L Image APT34F100L Microsemi MOSFET N-CH 1000V 35A TO264 การสอบสวน
APT33N90JCU3 Image APT33N90JCU3 Microsemi MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 การสอบสวน
APT35GT120JU3 Image APT35GT120JU3 Microsemi IGBT 1200V 55A 260W SOT227 การสอบสวน
APT34M60B Image APT34M60B Microsemi MOSFET N-CH 600V 36A TO-247 การสอบสวน
APT34F100B2 Image APT34F100B2 Microsemi MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX การสอบสวน
APT34N80LC3G Image APT34N80LC3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 34A TO-264 การสอบสวน
APT35GP120B2DQ2G Image APT35GP120B2DQ2G Microsemi IGBT 1200V 96A 543W TMAX การสอบสวน
APT35GP120JDQ2 Image APT35GP120JDQ2 Microsemi IGBT 1200V 64A 284W SOT227 การสอบสวน
APT34M120J Image APT34M120J Microsemi MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227 การสอบสวน

ข่าว Latest