ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > APT24M80B
APT24M80B
APT24M80B
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT24M80B
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 800V 25A TO-247
สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณในสต็อก:
64158 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days (We have stocks to ship now)
เวลาในการผลิต:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
1.APT24M80B.pdf2.APT24M80B.pdf
การสอบสวน

บทนำ

We can supply APT24M80B, use the request quote form to request APT24M80B pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT24M80B.The price and lead time for APT24M80B depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT24M80B.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

หมายเลขชิ้นส่วนภายใน RO-APT24M80B
เงื่อนไข Original New
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
การสลักด้านบน email us
การแทนที่ See datasheet
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (สูงสุด):±30V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-247 [B]
ชุด:POWER MOS 8™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:390 mOhm @ 12A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):625W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:16 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:4595pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:150nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):800V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 800V 25A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:25A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT24M80B

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT22F80B Image APT22F80B Microsemi MOSFET N-CH 800V 22A TO-247 การสอบสวน
APT23F60S Image APT23F60S Microsemi MOSFET N-CH 600V 23A D3PAK การสอบสวน
APT24M80S Image APT24M80S Microsemi MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK การสอบสวน
APT25GF120JCU2 Image APT25GF120JCU2 Microsemi MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227 การสอบสวน
APT25GN120B2DQ2G Image APT25GN120B2DQ2G Microsemi IGBT 1200V 67A 272W TMAX การสอบสวน
APT22F120L Image APT22F120L Microsemi MOSFET N-CH 1200V 23A TO264 การสอบสวน
APT25GN120BG Image APT25GN120BG Microsemi IGBT 1200V 67A 272W TO247 การสอบสวน
APT22F80S Image APT22F80S Microsemi MOSFET N-CH 800V 22A D3PAK การสอบสวน
APT24F50S Image APT24F50S Microsemi MOSFET N-CH 500V 24A D3PAK การสอบสวน
APT25GN120SG Image APT25GN120SG Microsemi IGBT 1200V 67A 272W D3PAK การสอบสวน
APT25GP90BDQ1G Image APT25GP90BDQ1G Microsemi IGBT 900V 72A 417W TO247 การสอบสวน
APT24F50B Image APT24F50B Microsemi MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 การสอบสวน
APT25GP90BG Image APT25GP90BG Microsemi IGBT 900V 72A 417W TO247 การสอบสวน
APT22F120B2 Image APT22F120B2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX การสอบสวน
APT24M120L Image APT24M120L Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1200V 24A TO-264 การสอบสวน
APT24M120B2 Image APT24M120B2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX การสอบสวน
APT25GP120BDQ1G Image APT25GP120BDQ1G Microsemi IGBT 1200V 69A 417W TO247 การสอบสวน
APT25GP120BG Image APT25GP120BG Microsemi IGBT 1200V 69A 417W TO247 การสอบสวน
APT23F60B Image APT23F60B Microsemi MOSFET N-CH 600V 23A TO-247 การสอบสวน
APT25GLQ120JCU2 Image APT25GLQ120JCU2 Microsemi PWR MOD IGBT4 1200V SOT227 การสอบสวน

ข่าว Latest