ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > APT17F120J
APT17F120J
APT17F120J
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT17F120J
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227
สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณในสต็อก:
60444 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days (We have stocks to ship now)
เวลาในการผลิต:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
1.APT17F120J.pdf2.APT17F120J.pdf
การสอบสวน

บทนำ

We can supply APT17F120J, use the request quote form to request APT17F120J pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT17F120J.The price and lead time for APT17F120J depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT17F120J.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

หมายเลขชิ้นส่วนภายใน RO-APT17F120J
เงื่อนไข Original New
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
การสลักด้านบน email us
การแทนที่ See datasheet
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:5V @ 2.5mA
Vgs (สูงสุด):±30V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:ISOTOP®
ชุด:POWER MOS 8™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:580 mOhm @ 14A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):545W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT-227-4, miniBLOC
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:21 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:9670pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:300nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):1200V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 1200V 18A (Tc) 545W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:18A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT17F120J

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT1608VRCXF/A-5MAV Image APT1608VRCXF/A-5MAV Kingbright LED CYAN DIFFUSED CHIP SMD การสอบสวน
APT1608VBC/D Image APT1608VBC/D Kingbright LED BLUE CLEAR CHIP SMD การสอบสวน
APT17N80SC3G Image APT17N80SC3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK การสอบสวน
APT1608SYCK/J3-PRV Image APT1608SYCK/J3-PRV Kingbright LED YELLOW CLEAR CHIP SMD การสอบสวน
APT17F100B Image APT17F100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 17A TO-247 การสอบสวน
APT18F60S Image APT18F60S Microsemi MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK การสอบสวน
APT17N80BC3G Image APT17N80BC3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 การสอบสวน
APT1608ZGCK Image APT1608ZGCK Kingbright LED GREEN CLEAR CHIP SMD การสอบสวน
APT1608YC Image APT1608YC Kingbright LED YELLOW CLEAR CHIP SMD การสอบสวน
APT18M100B Image APT18M100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247 การสอบสวน
APT1608SYCK Image APT1608SYCK Kingbright LED YELLOW CLEAR CHIP SMD การสอบสวน
APT18F60B Image APT18F60B Microsemi MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 การสอบสวน
APT17F100S Image APT17F100S Microsemi MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK การสอบสวน
APT17F80B Image APT17F80B Microsemi MOSFET N-CH 800V 18A TO-247 การสอบสวน
APT18M80S Image APT18M80S Microsemi MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK การสอบสวน
APT1608SURCK Image APT1608SURCK Kingbright LED RED CLEAR CHIP SMD การสอบสวน
APT17F80S Image APT17F80S Microsemi MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK การสอบสวน
APT17NTR-G1 Image APT17NTR-G1 Diodes Incorporated TRANS NPN 480V SOT23 การสอบสวน
APT1608ZGC Image APT1608ZGC Kingbright LED GREEN CLEAR CHIP SMD การสอบสวน
APT18M80B Image APT18M80B Microsemi MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 การสอบสวน

ข่าว Latest