SI3900DV-T1-E3
- Artikelnummer:
- SI3900DV-T1-E3
- Tillverkare:
- Vishay / Siliconix
- Beskrivning:
- MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
- RoHS-status:
- Blyfri / Överensstämmer med RoHS
- Antal i lager:
- 66251 Pieces
- Leveranstid:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionstid:
- 4-8 weeks
- Datablad:
- SI3900DV-T1-E3.pdf
Introduktion
We can supply SI3900DV-T1-E3, use the request quote form to request SI3900DV-T1-E3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI3900DV-T1-E3.The price and lead time for SI3900DV-T1-E3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI3900DV-T1-E3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Specifikationer
| Internt delnummer | RO-SI3900DV-T1-E3 |
|---|---|
| Tillstånd | Original New |
| Ursprungsland | Contact us |
| Toppmarkering | email us |
| Ersättning | See datasheet |
| Spänning - Test: | - |
| Spänning - Uppdelning: | 6-TSOP |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Serier: | TrenchFET® |
| RoHS-status: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2A |
| Effekt - Max: | 830mW |
| Polarisering: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Andra namn: | SI3900DV-T1-E3TR SI3900DVT1E3 |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstyp: | Surface Mount |
| Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tillverkarens normala ledtid: | 15 Weeks |
| Tillverkarens varunummer: | SI3900DV-T1-E3 |
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 4nC @ 4.5V |
| Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.5V @ 250µA |
| FET-funktionen: | 2 N-Channel (Dual) |
| Utvidgad beskrivning: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
| Avlopp till källspänning (Vdss): | Logic Level Gate |
| Beskrivning: | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
| Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C: | 20V |
| Email: | [email protected] |
Relaterade delar till SI3900DV-T1-E3
Latest News
- Toshiba lanserar SmartMCD Series Gate Driver IC med inbäddad mikrokontroller
- ADI -distribution Sambanova -kit, främjar produktionsformeln AI för att uppnå genombrott på en företagsnivå
- Honeywell och ADI gick samman för att marknadsföra innovation och förändring av byggnadsautomation
- Maxim tillkännagav lanseringen
- Maxim lanserar en bil DC-DC-omvandlare MAX16984, en bil med integrerade USB-laddningsupptagare
- Renesas Electronics lanserar branschens första programmerbara elektriska drivkraft
- Renesas lanserade den första generationen av 32-bitars RISC-V CPU-kärna
- Vishay lanserade den nya 10 MBD -lågkraftskopplingen, så låg som 5 mA, spänningsområdet är 2,7 V till 5,5 V
- Melexis lanserade en ny intelligent avledande lösning för att integrera tillförlitlig säkerhet
- Toshiba har utvecklat branschens första 2200V -dubbel -karbid MOSFET -modul för att hjälpa effektiv och miniatyrisering av industriell utrustning
- DDR5 -eran närmar sig och nya utmaningar kan inte ignoreras
- Renesas öppnar nästa -Generation Car SOC och MCU Processor Product Route Map