Мощные полевые МОП-транзисторы HiPerFET ™ класса X3 класса 200 В

Линейка силовых полупроводниковых изделий IXYS Corporation в диапазоне от 36 А до 300 А

200 В полноприводные МОП-транзисторы Ultra Junction X3 класса HiPerFET ™ от IXYS Corporation имеют текущие номиналы от 36 А до 300 А. Широкий выбор устройств доступен в ряде пакетов международного стандарта.

Эти полевые МОП-транзисторы, изготовленные с использованием принципа компенсации заряда и собственной технологической технологии IXYS, демонстрируют самое низкое сопротивление в настоящее время в отрасли (например, 3,5 мОм в корпусе SOT-227 и 4 мОм в TO-264). Наряду с зарядом затвора, составляющим всего 21 нанокулон, эти устройства обеспечивают высокую плотность мощности и энергоэффективность в широком спектре применений высокоскоростного преобразования энергии.

Быстродействующие диоды устройств оптимизированы и имеют низкий заряд и время обратного восстановления, тем самым подавляя переходные процессы и обеспечивая малошумное, высокоэффективное переключение мощности. Кроме того, эти полевые МОП-транзисторы имеют лавинную способность и демонстрируют превосходные рабочие характеристики dv / dt (до 20 В / нс).

Целевые применения включают в себя синхронное выпрямление, зарядные устройства для легких электромобилей (LEV), управление двигателем (системы от 48 В до 110 В), преобразователи постоянного тока, источники бесперебойного питания, электропогрузчики, инверторы, силовые твердотельные реле и класс D аудио усилители.