MOSFETs de potência HiPerFET ™ de 200V ultra-junção e classe X3

A linha de produtos de semicondutores de potência da IXYS Corporation varia de 36 A a 300 A nas classificações atuais

Os MOSFETs HiPerFET ™ de classe X3 Ultra V de 200 V da IXYS Corporation têm classificações atuais que variam de 36 A a 300 A. Uma ampla seleção de dispositivos está disponível em vários pacotes padrão internacionais.

Fabricados usando um princípio de compensação de carga e a própria tecnologia de processo da IXYS, esses MOSFETs exibem as mais baixas resistências no estado atualmente no setor (3,5 miliohms no pacote SOT-227 e 4 miliohms no TO-264, por exemplo). Juntamente com cargas de portão de até 21 nanocoulombs, esses dispositivos permitem altas densidades de energia e eficiências de energia em uma ampla variedade de aplicações de conversão de energia em alta velocidade.

Os diodos corporais rápidos dos dispositivos são otimizados e têm baixa carga e tempo de recuperação reversa, suprimindo os transientes e permitindo a comutação de potência de baixo ruído e alta eficiência. Além disso, esses MOSFETs são capazes de avalanche e exibem um desempenho dv / dt superior (até 20 V / ns).

As aplicações direcionadas incluem retificação síncrona, carregadores de bateria para veículos elétricos leves (LEVs), controle de motor (sistemas de 48 V a 110 V), conversores DC-DC, fontes de alimentação ininterruptas, empilhadeiras elétricas, inversores, relés de estado sólido de potência e Classe D amplificadores de áudio.