Внутренний номер детали | RO-SI5486DU-T1-GE3 |
---|---|
Состояние | Original New |
Страна происхождения | Contact us |
Топ маркировки | email us |
замена | See datasheet |
Vgs (й) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
Vgs (макс.): | ±8V |
Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства: | 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9) |
Серии: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 15 mOhm @ 7.7A, 4.5V |
Рассеиваемая мощность (макс): | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
упаковка: | Cut Tape (CT) |
Упаковка /: | 8-PowerVDFN |
Другие названия: | SI5486DU-T1-GE3CT |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки: | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 2100pF @ 10V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 54nC @ 8V |
Тип FET: | N-Channel |
FET Характеристика: | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
Слить к источнику напряжения (VDSS): | 20V |
Подробное описание: | N-Channel 20V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9) |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 12A (Tc) |
Email: | [email protected] |