Внутренний номер детали | RO-SI2319CDS-T1-GE3 |
---|---|
Состояние | Original New |
Страна происхождения | Contact us |
Топ маркировки | email us |
замена | See datasheet |
Vgs (й) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
Vgs (макс.): | ±20V |
Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства: | SOT-23-3 (TO-236) |
Серии: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 77 mOhm @ 3.1A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс): | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) |
упаковка: | Cut Tape (CT) |
Упаковка /: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Другие названия: | SI2319CDS-T1-GE3CT |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки: | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 595pF @ 20V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 21nC @ 10V |
Тип FET: | P-Channel |
FET Характеристика: | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS): | 40V |
Подробное описание: | P-Channel 40V 4.4A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 4.4A (Tc) |
Email: | [email protected] |