русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > RW1E015RPT2R
RW1E015RPT2R
RW1E015RPT2R
Тип продуктов:
RW1E015RPT2R
производитель:
LAPIS Semiconductor
Описание:
MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6
RoHS Статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
57959 Pieces
Срок поставки:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Сроки изготовления:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
RW1E015RPT2R.pdf
запрос

Введение

We can supply RW1E015RPT2R, use the request quote form to request RW1E015RPT2R pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number RW1E015RPT2R.The price and lead time for RW1E015RPT2R depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# RW1E015RPT2R.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Внутренний номер детали RO-RW1E015RPT2R
Состояние Original New
Страна происхождения Contact us
Топ маркировки email us
замена See datasheet
Vgs (й) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (макс.):±20V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:6-WEMT
Серии:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:160 mOhm @ 1.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):400mW (Ta)
упаковка:Tape & Reel (TR)
Упаковка /:SOT-563, SOT-666
Другие названия:RW1E015RPT2RTR
Рабочая Температура:150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:230pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:6.5nC @ 10V
Тип FET:P-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):4V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):30V
Подробное описание:P-Channel 30V 1.5A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:1.5A (Ta)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для RW1E015RPT2R

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
RW1A013ZPT2R Image RW1A013ZPT2R LAPIS Semiconductor MOSFET P-CH 12V 1.5A WEMT6 запрос
RW1S0BAR005JET Image RW1S0BAR005JET Ohmite RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD запрос
RW1C025ZPT2CR Image RW1C025ZPT2CR LAPIS Semiconductor MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6 запрос
RW1A020ZPT2R Image RW1A020ZPT2R LAPIS Semiconductor MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6 запрос
RW1C026ZPT2CR Image RW1C026ZPT2CR LAPIS Semiconductor MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6 запрос
RW1C020UNT2R Image RW1C020UNT2R LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6 запрос
RW1E025RPT2CR Image RW1E025RPT2CR LAPIS Semiconductor MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6 запрос
RW1E014SNT2R Image RW1E014SNT2R LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6 запрос
RW1A030APT2CR Image RW1A030APT2CR LAPIS Semiconductor MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6 запрос
RW1S0BA1R00JE Image RW1S0BA1R00JE Ohmite RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD запрос
RW1S0BAR005J Image RW1S0BAR005J Ohmite RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD запрос
RW1S0BA1R00JET Image RW1S0BA1R00JET Ohmite RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD запрос
RW1S0BAR010FE Image RW1S0BAR010FE Ohmite RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD запрос
RW1S0BA1R00J Image RW1S0BA1R00J Ohmite RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD запрос
RW1C015UNT2R Image RW1C015UNT2R LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6 запрос
RW1S0BAR005JE Image RW1S0BAR005JE Ohmite RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD запрос
RW1A025APT2CR Image RW1A025APT2CR LAPIS Semiconductor MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6 запрос
RW1S0BAR010F Image RW1S0BAR010F Ohmite RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD запрос
RW1S0BA1R00JT Image RW1S0BA1R00JT Ohmite RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD запрос
RW1S0BAR010FET Image RW1S0BAR010FET Ohmite RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD запрос

Latest Новости