RN1905FE,LF(CB
- Тип продуктов:
- RN1905FE,LF(CB
- производитель:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Описание:
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
- RoHS Статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 75483 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Сроки изготовления:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- RN1905FE,LF(CB.pdf
Введение
We can supply RN1905FE,LF(CB, use the request quote form to request RN1905FE,LF(CB pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number RN1905FE,LF(CB.The price and lead time for RN1905FE,LF(CB depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# RN1905FE,LF(CB.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификация
| Внутренний номер детали | RO-RN1905FE,LF(CB |
|---|---|
| Состояние | Original New |
| Страна происхождения | Contact us |
| Топ маркировки | email us |
| замена | See datasheet |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс): | 50V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Тип транзистор: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Поставщик Упаковка устройства: | ES6 |
| Серии: | - |
| Резистор - основание эмиттера (R2): | 47 kOhms |
| Резистор - основание (R1): | 2.2 kOhms |
| Мощность - Макс: | 100mW |
| упаковка: | Cut Tape (CT) |
| Упаковка /: | SOT-563, SOT-666 |
| Другие названия: | RN1905FE(TE85LF)CT RN1905FE(TE85LF)CT-ND RN1905FELF(CBCT RN1905FELF(CTCT RN1905FELF(CTCT-ND |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 16 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Частота - Переход: | 250MHz |
| Подробное описание: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 10mA, 5V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс): | 500nA |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для RN1905FE,LF(CB
Latest Новости
- Toshiba разработал первый в промышленности модуль MOSFET 2200 В.
- Toshiba выпустила первый 20 транзисторного выхода автомобиль оптрон
- TOSHIBA представляет стабилизатор LDO с высоким коэффициентом подавления пульсаций и низким уровнем шума с более высокой стабильностью линии электропередачи.
- Компания TOSHIBA представила легкие и тонкие оптопары для управления затвором IGBT и MOSFET, работающие при высоких температурах, в положениях с задней стороны или с ограничением по высоте: TLP5751H, TLP5752H, TLP5754H
- TOSHIBA выпускает дискретные IGBT, которые помогают снизить энергопотребление и излучение бытовой техники: GT30J110SRA
- Toshiba выпускает 2-канальную ИС драйвера двигателя с Н-мостом 5A для автомобильных приложений
- Toshiba выпускает 5 наборов новых усовершенствованных микроконтроллеров семейства TXZ + ™ для достижения низкого энергопотребления, поддержки миниатюризации системы и управления двигателем.