русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > R6006ANDTL
R6006ANDTL
R6006ANDTL
Тип продуктов:
R6006ANDTL
производитель:
LAPIS Semiconductor
Описание:
MOSFET N-CH 600V 6A CPT
RoHS Статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
34489 Pieces
Срок поставки:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Сроки изготовления:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
R6006ANDTL.pdf
запрос

Введение

We can supply R6006ANDTL, use the request quote form to request R6006ANDTL pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number R6006ANDTL.The price and lead time for R6006ANDTL depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# R6006ANDTL.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Внутренний номер детали RO-R6006ANDTL
Состояние Original New
Страна происхождения Contact us
Топ маркировки email us
замена See datasheet
Vgs (й) (Max) @ Id:4.5V @ 1mA
Vgs (макс.):±30V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:CPT3
Серии:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.2 Ohm @ 3A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):40W (Tc)
упаковка:Cut Tape (CT)
Упаковка /:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Другие названия:R6006ANDTLCT
Рабочая Температура:150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:460pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:15nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):600V
Подробное описание:N-Channel 600V 6A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount CPT3
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для R6006ANDTL

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
R60060-1CR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS запрос
R60060-2CR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS запрос
R6004KNX Image R6004KNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM запрос
R60060-2COR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS запрос
R6004ENX Image R6004ENX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 4A TO220 запрос
R6008FNJTL Image R6008FNJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 8A LPTS запрос
R6008ANX Image R6008ANX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM запрос
R60060-3CR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS запрос
R6007KNJTL Image R6007KNJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO263 запрос
R6004KNJTL Image R6004KNJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263 запрос
R6009ENJTL Image R6009ENJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 9A LPT запрос
R60060-3COR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS запрос
R6006ANX Image R6006ANX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM запрос
R6008FNX Image R6008FNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM запрос
R6007KNX Image R6007KNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM запрос
R6007ENJTL Image R6007ENJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 7A LPT запрос
R6009ENX Image R6009ENX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 9A TO220 запрос
R6007ENX Image R6007ENX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 7A TO220 запрос
R60060-1COR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS запрос
R6004ENJTL Image R6004ENJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 4A LPT запрос

Latest Новости