русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > R6004ENDTL
R6004ENDTL
R6004ENDTL
Тип продуктов:
R6004ENDTL
производитель:
LAPIS Semiconductor
Описание:
MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
RoHS Статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
56459 Pieces
Срок поставки:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Сроки изготовления:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
R6004ENDTL.pdf
запрос

Введение

We can supply R6004ENDTL, use the request quote form to request R6004ENDTL pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number R6004ENDTL.The price and lead time for R6004ENDTL depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# R6004ENDTL.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Внутренний номер детали RO-R6004ENDTL
Состояние Original New
Страна происхождения Contact us
Топ маркировки email us
замена See datasheet
Vgs (й) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (макс.):±20V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:CPT3
Серии:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:980 mOhm @ 1.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):20W (Tc)
упаковка:Tape & Reel (TR)
Упаковка /:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Другие названия:R6004ENDTLTR
Рабочая Температура:150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:250pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:15nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):600V
Подробное описание:N-Channel 600V 4A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для R6004ENDTL

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
R60030-3PR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS запрос
R60060-1CR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS запрос
R60030-3SR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS запрос
R60060-1COR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS запрос
R60060-3CR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS запрос
R60030-2COR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS запрос
R60060-3COR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS запрос
R60030-2SR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS запрос
R60060-2COR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS запрос
R60030-2CR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS запрос
R6004KNJTL Image R6004KNJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263 запрос
R6004ENX Image R6004ENX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 4A TO220 запрос
R60030-1SR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS запрос
R6004KNX Image R6004KNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM запрос
R60030-3CR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS запрос
R60030-3COR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS запрос
R6004CNDTL Image R6004CNDTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 4A CPT запрос
R6004ENJTL Image R6004ENJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 4A LPT запрос
R60060-2CR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS запрос
R60030-2PR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS запрос

Latest Новости