NSVEMC2DXV5T1G
- Тип продуктов:
- NSVEMC2DXV5T1G
- производитель:
- ON Semiconductor
- Описание:
- TRANS NPN/PNP 50V BIPOLAR SOT553
- RoHS Статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 70340 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Сроки изготовления:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- NSVEMC2DXV5T1G.pdf
Введение
We can supply NSVEMC2DXV5T1G, use the request quote form to request NSVEMC2DXV5T1G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NSVEMC2DXV5T1G.The price and lead time for NSVEMC2DXV5T1G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NSVEMC2DXV5T1G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификация
| Внутренний номер детали | RO-NSVEMC2DXV5T1G |
|---|---|
| Состояние | Original New |
| Страна происхождения | Contact us |
| Топ маркировки | email us |
| замена | See datasheet |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс): | 50V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Тип транзистор: | 1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction) |
| Поставщик Упаковка устройства: | SOT-553 |
| Серии: | - |
| Резистор - основание эмиттера (R2): | 22 kOhms |
| Резистор - основание (R1): | 22 kOhms |
| Мощность - Макс: | 500mW |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | SOT-553 |
| Другие названия: | NSVEMC2DXV5T1G-ND NSVEMC2DXV5T1GOSTR |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 6 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Частота - Переход: | - |
| Подробное описание: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-553 |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 60 @ 5mA, 10V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс): | 500nA |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для NSVEMC2DXV5T1G
Latest Новости
- Onsemi запустил первую в мире платную упаковку 650 В кремниевого карбида MOSFET
- Комплект для разработки двигателей ON Semiconductor в первую очередь ориентирован на энергоэффективность
- Кремниевый фотоумножитель (SiPM) ON Semiconductor для лидара с прямым временем пролета (dToF) предоставляет готовые конструкции для промышленных приложений измерения дальности
- ON Semiconductor и Theta Power Systems International устанавливают партнерские отношения в области управления двигателями
- ON Semiconductor назначает Хассана Эль-Хури преемником генерального директора (генерального директора)