NSVEMC2DXV5T1G
- Αριθμός εξαρτήματος:
- NSVEMC2DXV5T1G
- Κατασκευαστής:
- ON Semiconductor
- Περιγραφή:
- TRANS NPN/PNP 50V BIPOLAR SOT553
- Κατάσταση RoHS:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα σε Απόθεμα:
- 70340 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Χρόνος παραγωγής:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- NSVEMC2DXV5T1G.pdf
Εισαγωγή
We can supply NSVEMC2DXV5T1G, use the request quote form to request NSVEMC2DXV5T1G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NSVEMC2DXV5T1G.The price and lead time for NSVEMC2DXV5T1G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NSVEMC2DXV5T1G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Αριθμός εσωτερικού μέρους | RO-NSVEMC2DXV5T1G |
|---|---|
| Κατάσταση | Original New |
| Προέλευση χώρας | Contact us |
| Κορυφαία σήμανση | email us |
| Αντικατάσταση | See datasheet |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 50V |
| VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
| transistor Τύπος: | 1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SOT-553 |
| Σειρά: | - |
| Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2): | 22 kOhms |
| Αντίσταση - Βάση (R1): | 22 kOhms |
| Ισχύς - Max: | 500mW |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SOT-553 |
| Αλλα ονόματα: | NSVEMC2DXV5T1G-ND NSVEMC2DXV5T1GOSTR |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 6 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Συχνότητα - Μετάβαση: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-553 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 60 @ 5mA, 10V |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max): | 500nA |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για NSVEMC2DXV5T1G
Latest Ειδήσεις
- Ο Onsemi ξεκίνησε την πρώτη συσκευασία διοδίων στον κόσμο 650 V silicon carbide mosfet
- Το κιτ ανάπτυξης κινητήρα ON Semiconductor επικεντρώνεται πρώτα στην ενεργειακή απόδοση
- Η πλατφόρμα άμεσης ώρας πτήσης (dToF) ON Semiconductor's silom photomultiplier (SiPM) παρέχει έτοιμα σχέδια για βιομηχανικές εφαρμογές
- Η ON Semiconductor και η Theta Power Systems International καθιερώνουν συνεργασία για εφαρμογές ελέγχου κινητήρα
- Η ON Semiconductor διορίζει τον Hassane El-Khoury ως διάδοχο CEO (CEO)