MT3S113TU,LF
- Тип продуктов:
- MT3S113TU,LF
- производитель:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Описание:
- RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
- RoHS Статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 81019 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Сроки изготовления:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- MT3S113TU,LF.pdf
Введение
We can supply MT3S113TU,LF, use the request quote form to request MT3S113TU,LF pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number MT3S113TU,LF.The price and lead time for MT3S113TU,LF depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# MT3S113TU,LF.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификация
| Внутренний номер детали | RO-MT3S113TU,LF |
|---|---|
| Состояние | Original New |
| Страна происхождения | Contact us |
| Топ маркировки | email us |
| замена | See datasheet |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс): | 5.3V |
| Тип транзистор: | NPN |
| Поставщик Упаковка устройства: | UFM |
| Серии: | - |
| Мощность - Макс: | 900mW |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | 3-SMD, Flat Leads |
| Другие названия: | MT3S113TU,LF(B MT3S113TULF MT3S113TULF(B MT3S113TULFTR |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| Коэффициент шума (дБ Typ @ F): | 1.45dB @ 1GHz |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 12 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Усиление: | 12.5dB |
| Частота - Переход: | 11.2GHz |
| Подробное описание: | RF Transistor NPN 5.3V 100mA 11.2GHz 900mW Surface Mount UFM |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 200 @ 30mA, 5V |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для MT3S113TU,LF
Latest Новости
- Toshiba разработал первый в промышленности модуль MOSFET 2200 В.
- Toshiba выпустила первый 20 транзисторного выхода автомобиль оптрон
- TOSHIBA представляет стабилизатор LDO с высоким коэффициентом подавления пульсаций и низким уровнем шума с более высокой стабильностью линии электропередачи.
- Компания TOSHIBA представила легкие и тонкие оптопары для управления затвором IGBT и MOSFET, работающие при высоких температурах, в положениях с задней стороны или с ограничением по высоте: TLP5751H, TLP5752H, TLP5754H
- TOSHIBA выпускает дискретные IGBT, которые помогают снизить энергопотребление и излучение бытовой техники: GT30J110SRA
- Toshiba выпускает 2-канальную ИС драйвера двигателя с Н-мостом 5A для автомобильных приложений
- Toshiba выпускает 5 наборов новых усовершенствованных микроконтроллеров семейства TXZ + ™ для достижения низкого энергопотребления, поддержки миниатюризации системы и управления двигателем.