русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IXTY02N50D
IXTY02N50D
Тип продуктов:
IXTY02N50D
производитель:
IXYS Corporation
Описание:
MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK
RoHS Статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
80308 Pieces
Срок поставки:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Сроки изготовления:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
IXTY02N50D.pdf
запрос

Введение

We can supply IXTY02N50D, use the request quote form to request IXTY02N50D pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXTY02N50D.The price and lead time for IXTY02N50D depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXTY02N50D.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Внутренний номер детали RO-IXTY02N50D
Состояние Original New
Страна происхождения Contact us
Топ маркировки email us
замена See datasheet
Vgs (й) (Max) @ Id:-
Vgs (макс.):±20V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:TO-252, (D-Pak)
Серии:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:30 Ohm @ 50mA, 0V
Рассеиваемая мощность (макс):1.1W (Ta), 25W (Tc)
упаковка:Tube
Упаковка /:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:14 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:120pF @ 25V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:Depletion Mode
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):-
Слить к источнику напряжения (VDSS):500V
Подробное описание:N-Channel 500V 200mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:200mA (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для IXTY02N50D

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
IXTX90N25L2 Image IXTX90N25L2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 90A PLUS247 запрос
IXTY02N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK запрос
IXTY08N120P Image IXTY08N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220 запрос
IXTY06N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252 запрос
IXTY01N100D IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA запрос
IXTX60N50L2 Image IXTX60N50L2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 60A PLUS247 запрос
IXTY08N100D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK запрос
IXTY08N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252 запрос
IXTY15N20T IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 15A TO-252 запрос
IXTY12N06T IXYS Corporation MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 запрос
IXTY12N06TTRL IXYS Corporation MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 запрос
IXTY01N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK запрос
IXTX6N200P3HV Image IXTX6N200P3HV IXYS Corporation 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF запрос
IXTY10P15T IXYS Corporation MOSFET P-CH 150V 10A TO-252 запрос
IXTX8N150L Image IXTX8N150L IXYS Corporation MOSFET N-CH 1500V 8A PLUS247 запрос
IXTY02N50D TRL IXYS Corporation MOSFET N-CH запрос
IXTY01N80 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA запрос
IXTX90P20P Image IXTX90P20P IXYS Corporation MOSFET P-CH 200V 90A PLUS247 запрос
IXTX600N04T2 Image IXTX600N04T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 40V 600A PLUS247 запрос
IXTY08N50D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK запрос

Latest Новости