русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > APT5020BN
APT5020BN
Тип продуктов:
APT5020BN
производитель:
Microsemi
Описание:
MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD
RoHS Статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
42004 Pieces
Срок поставки:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Сроки изготовления:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
APT5020BN.pdf
запрос

Введение

We can supply APT5020BN, use the request quote form to request APT5020BN pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT5020BN.The price and lead time for APT5020BN depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT5020BN.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Внутренний номер детали RO-APT5020BN
Состояние Original New
Страна происхождения Contact us
Топ маркировки email us
замена See datasheet
Vgs (й) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (макс.):±30V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:TO-247AD
Серии:POWER MOS IV®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:200 mOhm @ 14A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):360W (Tc)
упаковка:Tube
Упаковка /:TO-247-3
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:3500pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:210nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):500V
Подробное описание:N-Channel 500V 28A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AD
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:28A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для APT5020BN

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
APT50DL120HJ Image APT50DL120HJ Microsemi MOD DIODE 1200V SOT-227 запрос
APT5020BNFR Microsemi MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD запрос
APT5016BFLLG Image APT5016BFLLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 запрос
APT5024BLLG Image APT5024BLLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 22A TO-247 запрос
APT5010LLLG Image APT5010LLLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 запрос
APT5010LFLLG Image APT5010LFLLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 запрос
APT5012JN Microsemi MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP запрос
APT5014B2VRG Microsemi MOSFET N-CH 500V T-MAX запрос
APT5018BLLG Image APT5018BLLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 27A TO-247 запрос
APT50DF170HJ Image APT50DF170HJ Microsemi MOD DIODE 1700V SOT-227 запрос
APT5025BN Microsemi MOSFET N-CH 500V 23A TO247AD запрос
APT5022BNG Microsemi MOSFET N-CH 500V 27A TO247AD запрос
APT50GF120LRG Image APT50GF120LRG Microsemi IGBT 1200V 135A 781W TO264 запрос
APT50DL60HJ Image APT50DL60HJ Microsemi MOD DIODE 600V SOT-227 запрос
APT50GF120JRDQ3 Image APT50GF120JRDQ3 Microsemi IGBT 1200V 120A 521W SOT227 запрос
APT50GF120B2RG Image APT50GF120B2RG Microsemi IGBT 1200V 135A 781W TMAX запрос
APT5016BLLG Image APT5016BLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 запрос
APT5014SLLG Image APT5014SLLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 35A D3PAK запрос
APT5014SLLG/TR Image APT5014SLLG/TR Microsemi MOSFET N-CH 500V 35A TO-247 запрос
APT5014BLLG Image APT5014BLLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 35A TO-247 запрос

Latest Новости