русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - сингл > APT30GP60B2DLG
APT30GP60B2DLG
APT30GP60B2DLG
Тип продуктов:
APT30GP60B2DLG
производитель:
Microsemi
Описание:
IGBT 600V 100A 463W TMAX
RoHS Статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
49569 Pieces
Срок поставки:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Сроки изготовления:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
APT30GP60B2DLG.pdf
запрос

Введение

We can supply APT30GP60B2DLG, use the request quote form to request APT30GP60B2DLG pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT30GP60B2DLG.The price and lead time for APT30GP60B2DLG depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT30GP60B2DLG.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Внутренний номер детали RO-APT30GP60B2DLG
Состояние Original New
Страна происхождения Contact us
Топ маркировки email us
замена See datasheet
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс):600V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic:2.7V @ 15V, 30A
режим для испытаний:400V, 30A, 5 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C:13ns/55ns
Переключение энергии:260µJ (on), 250µJ (off)
Поставщик Упаковка устройства:T-MAX™
Серии:-
Мощность - Макс:463W
упаковка:Tube
Упаковка /:TO-247-3
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:23 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода:Standard
Тип IGBT:PT
Заряд затвора:90nC
Подробное описание:IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole T-MAX™
Ток - Коллектор Импульсные (ICM):120A
Ток - коллектор (Ic) (Макс):100A
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для APT30GP60B2DLG

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
APT30GP60BG Image APT30GP60BG Microsemi IGBT 600V 100A 463W TO247 запрос
APT30DQ60KG Image APT30DQ60KG Microsemi DIODE GEN PURP 600V 30A TO220 запрос
APT30GT60BRG Image APT30GT60BRG Microsemi IGBT 600V 64A 250W TO247 запрос
APT30GT60KRG Microsemi IGBT 600V 64A 250W TO220 запрос
APT30F50S Image APT30F50S Microsemi MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK запрос
APT30DS20HJ Image APT30DS20HJ Microsemi DIODE MODULE 200V SOT227 запрос
APT30GS60KRG Microsemi IGBT 600V 54A 250W TO220 запрос
APT30DS60BG Image APT30DS60BG Microsemi DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247 запрос
APT30GF60JU2 Image APT30GF60JU2 Microsemi IGBT 600V 58A 192W SOT227 запрос
APT30GP60LDLG Microsemi IGBT 600V 100A 463W TO264 запрос
APT30F50B Image APT30F50B Microsemi MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 запрос
APT30GF60JU3 Image APT30GF60JU3 Microsemi IGBT 600V 58A 192W SOT227 запрос
APT30GS60BRDQ2G Image APT30GS60BRDQ2G Microsemi IGBT 600V 54A 250W SOT227 запрос
APT30GN60BG Image APT30GN60BG Microsemi IGBT 600V 63A 203W TO247 запрос
APT30F60J Image APT30F60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227 запрос
APT30GT60BRDQ2G Image APT30GT60BRDQ2G Microsemi IGBT 600V 64A 250W TO247 запрос
APT30GN60BDQ2G Image APT30GN60BDQ2G Microsemi IGBT 600V 63A 203W TO247 запрос
APT30GS60BRDLG Image APT30GS60BRDLG Microsemi IGBT 600V 54A 250W TO247 запрос
APT30GP60JDQ1 Image APT30GP60JDQ1 Microsemi IGBT 600V 67A 245W SOT227 запрос
APT30GP60BDQ1G Image APT30GP60BDQ1G Microsemi IGBT 600V 100A 463W TO247 запрос

Latest Новости