русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > APT11N80BC3G
APT11N80BC3G
APT11N80BC3G
Тип продуктов:
APT11N80BC3G
производитель:
Microsemi
Описание:
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
RoHS Статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
44530 Pieces
Срок поставки:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Сроки изготовления:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
APT11N80BC3G.pdf
запрос

Введение

We can supply APT11N80BC3G, use the request quote form to request APT11N80BC3G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT11N80BC3G.The price and lead time for APT11N80BC3G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT11N80BC3G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Внутренний номер детали RO-APT11N80BC3G
Состояние Original New
Страна происхождения Contact us
Топ маркировки email us
замена See datasheet
Vgs (й) (Max) @ Id:3.9V @ 680µA
Vgs (макс.):±20V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:TO-247 [B]
Серии:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:450 mOhm @ 7.1A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):156W (Tc)
упаковка:Tube
Упаковка /:TO-247-3
Другие названия:APT11N80BC3GMI
APT11N80BC3GMI-ND
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:18 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:1585pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:60nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):800V
Подробное описание:N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для APT11N80BC3G

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
APT11N80KC3G Microsemi MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 запрос
APT1204R7BFLLG Image APT1204R7BFLLG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247 запрос
APT10SCD65K Image APT10SCD65K Microsemi DIODE SILICON 650V 17A TO220 запрос
APT10SCD120B Image APT10SCD120B Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 запрос
APT12031JFLL Image APT12031JFLL Microsemi MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227 запрос
APT11F80B Image APT11F80B Microsemi MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 запрос
APT11F80S Image APT11F80S Microsemi MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK запрос
APT10SCD120BCT Image APT10SCD120BCT Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 запрос
APT10SCD65KCT Microsemi DIODE SILICON 650V 17A TO220 запрос
APT11GF120BRDQ1G Image APT11GF120BRDQ1G Microsemi IGBT 1200V 25A 156W TO247 запрос
APT12057B2FLLG Image APT12057B2FLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX запрос
APT12067B2FLLG Image APT12067B2FLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX запрос
APT1204R7KFLLG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220 запрос
APT11GP60BDQBG Image APT11GP60BDQBG Microsemi IGBT 600V 41A 187W TO247 запрос
APT10SCD120K Image APT10SCD120K Microsemi DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220 запрос
APT12057JLL Image APT12057JLL Microsemi MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227 запрос
APT1201R4BFLLG Image APT1201R4BFLLG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 запрос
APT12057LFLLG Image APT12057LFLLG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264 запрос
APT11GF120KRG Microsemi IGBT 1200V 25A 156W TO220 запрос
APT12057B2LLG Image APT12057B2LLG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX запрос

Latest Новости