UMB1NTN
- Modelo do Produto:
- UMB1NTN
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrição:
- TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 55535 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- UMB1NTN.pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-UMB1NTN |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 50V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Tipo transistor: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | UMT6 |
| Série: | - |
| Resistor - Base do Emissor (R2): | 22 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 22 kOhms |
| Power - Max: | 150mW |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição: | - |
| Descrição detalhada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150mW Surface Mount UMT6 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 56 @ 5mA, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 100mA |
| Número da peça base: | MB1 |
| Email: | [email protected] |
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