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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > XP0411200L
XP0411200L
XP0411200L
Modelo do Produto:
XP0411200L
Fabricante:
Panasonic
Descrição:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI6
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
49777 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
XP0411200L.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-XP0411200L
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SMINI6-G1
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):22 kOhms
Resistor - Base (R1):22 kOhms
Power - Max:150mW
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes:XP0411200LCT
XP4112CT
XP4112CT-ND
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:80MHz
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 80MHz 150mW Surface Mount SMINI6-G1
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:60 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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