SIR167DP-T1-GE3
SIR167DP-T1-GE3
Modelo do Produto:
SIR167DP-T1-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK SO-8
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
61644 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
SIR167DP-T1-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-SIR167DP-T1-GE3
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerPAK® SO-8
Série:TrenchFET® Gen III
RDS ON (Max) @ Id, VGS:5.5 mOhm @ 15A, 10V
Dissipação de energia (Max):65.8W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:PowerPAK® SO-8
Outros nomes:SIR167DP-T1-GE3TR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:32 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4380pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:111nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:P-Channel 30V 60A (Tc) 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

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