SIA443DJ-T1-GE3
SIA443DJ-T1-GE3
Modelo do Produto:
SIA443DJ-T1-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
50164 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
SIA443DJ-T1-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-SIA443DJ-T1-GE3
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerPAK® SC-70-6 Single
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:45 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):3.3W (Ta), 15W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:PowerPAK® SC-70-6
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:750pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 8V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:P-Channel 20V 9A (Tc) 3.3W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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