SI7904BDN-T1-GE3
SI7904BDN-T1-GE3
Modelo do Produto:
SI7904BDN-T1-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
54334 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
SI7904BDN-T1-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-SI7904BDN-T1-GE3
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerPAK® 1212-8 Dual
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:30 mOhm @ 7.1A, 4.5V
Power - Max:17.8W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:PowerPAK® 1212-8 Dual
Outros nomes:SI7904BDN-T1-GE3-ND
SI7904BDN-T1-GE3TR
SI7904BDNT1GE3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:33 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:860pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:24nC @ 8V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6A 17.8W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6A
Número da peça base:SI7904
Email:[email protected]

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