SI7101DN-T1-GE3
SI7101DN-T1-GE3
Modelo do Produto:
SI7101DN-T1-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
55370 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
SI7101DN-T1-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-SI7101DN-T1-GE3
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerPAK® 1212-8
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:7.2 mOhm @ 15A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.7W (Ta), 52W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:PowerPAK® 1212-8
Outros nomes:SI7101DN-T1-GE3TR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:32 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3595pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:102nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:P-Channel 30V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

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