SI4632DY-T1-E3
Modelo do Produto:
SI4632DY-T1-E3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
49787 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
SI4632DY-T1-E3.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-SI4632DY-T1-E3
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:2.6V @ 250µA
Vgs (Max):±16V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.7 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:SI4632DY-T1-E3TR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:21 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:11175pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:161nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):25V
Descrição detalhada:N-Channel 25V 40A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:40A (Tc)
Email:[email protected]

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