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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > QS6U22TR
QS6U22TR
QS6U22TR
Modelo do Produto:
QS6U22TR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
89201 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.QS6U22TR.pdf2.QS6U22TR.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-QS6U22TR
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 1mA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TSMT6 (SC-95)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:215 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):1.25W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:270pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:3nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:Schottky Diode (Isolated)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:P-Channel 20V 1.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.5A (Ta)
Email:[email protected]

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