QS5U16TR
- Modelo do Produto:
- QS5U16TR
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 53344 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- 1.QS5U16TR.pdf2.QS5U16TR.pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-QS5U16TR |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TSMT5 |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 100 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Dissipação de energia (Max): | 900mW (Ta) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 175pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.9nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 2.5V, 4.5V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 30V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 30V 2A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount TSMT5 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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