PHB108NQ03LT,118
PHB108NQ03LT,118
Modelo do Produto:
PHB108NQ03LT,118
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
80882 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
PHB108NQ03LT,118.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-PHB108NQ03LT,118
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D2PAK
Série:TrenchMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:6 mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max):187W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:934056956118
PHB108NQ03LT /T3
PHB108NQ03LT /T3-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1375pF @ 12V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:16.3nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):25V
Descrição detalhada:N-Channel 25V 75A (Tc) 187W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:75A (Tc)
Email:[email protected]

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