NSBC115EPDXV6T1G
- Modelo do Produto:
- NSBC115EPDXV6T1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição:
- SS SOT563 RSTR XSTR TR
- Quantidade em estoque:
- 68441 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- NSBC115EPDXV6T1G.pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-NSBC115EPDXV6T1G |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 50V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Tipo transistor: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SOT-563 |
| Série: | Automotive, AEC-Q101 |
| Resistor - Base do Emissor (R2): | 100 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 100 kOhms |
| Power - Max: | 357mW |
| Caixa / Gabinete: | SOT-563, SOT-666 |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 52 Weeks |
| Frequência - Transição: | - |
| Descrição detalhada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 357mW Surface Mount SOT-563 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 80 @ 5mA, 10V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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