NSBC115EPDXV6T1G
- 제품 모델:
- NSBC115EPDXV6T1G
- 제조사:
- ON Semiconductor
- 기술:
- SS SOT563 RSTR XSTR TR
- 수량 재고 있음:
- 68441 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- 생산 시간:
- 4-8 weeks
- 데이터 시트:
- NSBC115EPDXV6T1G.pdf
소개
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규격
| 내부 부품 번호 | RO-NSBC115EPDXV6T1G |
|---|---|
| 조건 | Original New |
| 국가 원산지 | Contact us |
| 최고 마킹 | email us |
| 바꿔 놓음 | See datasheet |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대): | 50V |
| IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대): | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 트랜지스터 유형: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| 제조업체 장치 패키지: | SOT-563 |
| 연속: | Automotive, AEC-Q101 |
| 저항기 - 이미 터베이스 (R2): | 100 kOhms |
| 저항기 -베이스 (R1): | 100 kOhms |
| 전력 - 최대: | 357mW |
| 패키지 / 케이스: | SOT-563, SOT-666 |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 52 Weeks |
| 주파수 - 전환: | - |
| 상세 설명: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 357mW Surface Mount SOT-563 |
| IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가: | 80 @ 5mA, 10V |
| 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대): | 500nA |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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