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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTV200N10T
IXTV200N10T
IXTV200N10T
Modelo do Produto:
IXTV200N10T
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
89974 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
IXTV200N10T.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-IXTV200N10T
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PLUS220
Série:TrenchMV™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:5.5 mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max):550W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3, Short Tab
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:9400pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:152nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição detalhada:N-Channel 100V 200A (Tc) 550W (Tc) Through Hole PLUS220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:200A (Tc)
Email:[email protected]

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Observações

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