IXFX90N20Q
IXFX90N20Q
Modelo do Produto:
IXFX90N20Q
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 90A PLUS247
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
73416 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
IXFX90N20Q.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-IXFX90N20Q
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 4mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PLUS247™-3
Série:HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:22 mOhm @ 45A, 10V
Dissipação de energia (Max):500W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6800pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:190nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):200V
Descrição detalhada:N-Channel 200V 90A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:90A (Tc)
Email:[email protected]

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