IRG8CH50K10F
- Modelo do Produto:
- IRG8CH50K10F
- Descrição:
- IGBT CHIP WAFER
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 89025 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- IRG8CH50K10F.pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-IRG8CH50K10F |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 1200V |
| Vce (on) (Max) @ VGE, Ic: | 2V @ 15V, 50A |
| Condição de teste: | 600V, 50A, 5 Ohm, 15V |
| Td (ligar / desligar) @ 25 ° C: | 60ns/285ns |
| Alternando Energia: | - |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | Die |
| Série: | - |
| Caixa / Gabinete: | Die |
| Outros nomes: | SP001536162 |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 16 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de entrada: | Standard |
| Tipo de IGBT: | - |
| portão de carga: | 245nC |
| Descrição detalhada: | IGBT 1200V 50A Surface Mount Die |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 50A |
| Email: | [email protected] |
