IRG8CH50K10F
- 제품 모델:
- IRG8CH50K10F
- 기술:
- IGBT CHIP WAFER
- RoHS 현황:
- 무연 / RoHS 준수
- 수량 재고 있음:
- 89025 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- 생산 시간:
- 4-8 weeks
- 데이터 시트:
- IRG8CH50K10F.pdf
소개
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규격
| 내부 부품 번호 | RO-IRG8CH50K10F |
|---|---|
| 조건 | Original New |
| 국가 원산지 | Contact us |
| 최고 마킹 | email us |
| 바꿔 놓음 | See datasheet |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대): | 1200V |
| VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대): | 2V @ 15V, 50A |
| 시험 조건: | 600V, 50A, 5 Ohm, 15V |
| Td (온 / 오프) @ 25 ° C: | 60ns/285ns |
| 에너지 전환: | - |
| 제조업체 장치 패키지: | Die |
| 연속: | - |
| 패키지 / 케이스: | Die |
| 다른 이름들: | SP001536162 |
| 작동 온도: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 16 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 유형: | Standard |
| IGBT 유형: | - |
| 게이트 충전: | 245nC |
| 상세 설명: | IGBT 1200V 50A Surface Mount Die |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대): | 50A |
| Email: | [email protected] |
