IRF6610TR1
IRF6610TR1
Modelo do Produto:
IRF6610TR1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
Status de RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade em estoque:
78979 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
IRF6610TR1.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-IRF6610TR1
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:2.55V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DIRECTFET™ SQ
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:6.8 mOhm @ 15A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.2W (Ta), 42W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:DirectFET™ Isometric SQ
Outros nomes:IRF6610
IRF6610-ND
IRF6610TR1-ND
IRF6610TR1TR
SP001526776
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):3 (168 Hours)
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1520pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:N-Channel 20V 15A (Ta), 66A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:15A (Ta), 66A (Tc)
Email:[email protected]

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