IRF6609TR1
IRF6609TR1
Modelo do Produto:
IRF6609TR1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
Status de RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade em estoque:
53804 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
IRF6609TR1.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-IRF6609TR1
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:2.45V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DIRECTFET™ MT
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2 mOhm @ 31A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.8W (Ta), 89W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:DirectFET™ Isometric MT
Outros nomes:SP001529252
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):3 (168 Hours)
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6290pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:69nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:N-Channel 20V 31A (Ta), 150A (Tc) 1.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:31A (Ta), 150A (Tc)
Email:[email protected]

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