CSD16411Q3
Modelo do Produto:
CSD16411Q3
Fabricante:
TI
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
Status de RoHS:
Contém chumbo / Em conformidade com a RoHS
Quantidade em estoque:
71385 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
CSD16411Q3.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-CSD16411Q3
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - Teste:570pF @ 12.5V
Tensão - Breakdown:8-VSON (3.3x3.3)
VGS (th) (Max) @ Id:10 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (Max):4.5V, 10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Série:NexFET™
Status de RoHS:Tape & Reel (TR)
RDS ON (Max) @ Id, VGS:14A (Ta), 56A (Tc)
Polarização:8-PowerVDFN
Outros nomes:296-24255-2
CSD16411Q3/2801
CSD16411Q3/2801-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:CSD16411Q3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3.8nC @ 4.5V
Tipo de IGBT:+16V, -12V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:2.3V @ 250µA
Característica FET:N-Channel
Descrição expandida:N-Channel 25V 14A (Ta), 56A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):-
Descrição:MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:25V
Rácio de capacitância:2.7W (Ta)
Email:[email protected]

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