BSM180D12P3C007
- Modelo do Produto:
- BSM180D12P3C007
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrição:
- SIC POWER MODULE
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 77791 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- 1.BSM180D12P3C007.pdf2.BSM180D12P3C007.pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-BSM180D12P3C007 |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5.6V @ 50mA |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | Module |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | - |
| Power - Max: | 880W |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | Module |
| Outros nomes: | Q9597863 |
| Temperatura de operação: | 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 32 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 900pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET: | Silicon Carbide (SiC) |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Descrição detalhada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 180A (Tc) 880W Surface Mount Module |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 180A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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