BS108/01,126
BS108/01,126
Modelo do Produto:
BS108/01,126
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
66920 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
BS108/01,126.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-BS108/01,126
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:1.8V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-92-3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:5 Ohm @ 100mA, 2.8V
Dissipação de energia (Max):1W (Ta)
Embalagem:Tape & Box (TB)
Caixa / Gabinete:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Outros nomes:934009850126
BS108/01 AMO
BS108/01 AMO-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:120pF @ 25V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):2.8V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):200V
Descrição detalhada:N-Channel 200V 300mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole TO-92-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:300mA (Ta)
Email:[email protected]

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