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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - módulos > APTGT50H60T2G
APTGT50H60T2G
Modelo do Produto:
APTGT50H60T2G
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOD IGBT 600V 80A SP2
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
46863 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
APTGT50H60T2G.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-APTGT50H60T2G
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:1.9V @ 15V, 50A
Embalagem do dispositivo fornecedor:SP2
Série:-
Power - Max:176W
Caixa / Gabinete:SP2
Temperatura de operação:-
NTC Thermistor:Yes
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce:3.15nF @ 25V
Entrada:Standard
Tipo de IGBT:Trench Field Stop
Descrição detalhada:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 80A 176W Chassis Mount SP2
Atual - Collector Cutoff (Max):250µA
Atual - Collector (Ic) (Max):80A
Configuração:Full Bridge Inverter
Email:[email protected]

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