APTGLQ50H65T1G
Modelo do Produto:
APTGLQ50H65T1G
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
POWER MODULE - IGBT
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
53358 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
APTGLQ50H65T1G.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-APTGLQ50H65T1G
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):650V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.3V @ 15V, 50A
Embalagem do dispositivo fornecedor:SP1
Série:-
Power - Max:175W
Caixa / Gabinete:Module
Temperatura de operação:-40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor:Yes
Tipo de montagem:Chassis Mount
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce:3.1nF @ 25V
Entrada:Standard
Tipo de IGBT:Trench Field Stop
Descrição detalhada:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 650V 70A 175W Chassis Mount SP1
Atual - Collector Cutoff (Max):50µA
Atual - Collector (Ic) (Max):70A
Configuração:Full Bridge
Email:[email protected]

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