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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - módulos > APTGF50DH60T1G
APTGF50DH60T1G
APTGF50DH60T1G
Modelo do Produto:
APTGF50DH60T1G
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
IGBT NPT BRIDGE 600V 65A SP1
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
74130 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.APTGF50DH60T1G.pdf2.APTGF50DH60T1G.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-APTGF50DH60T1G
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.45V @ 15V, 50A
Embalagem do dispositivo fornecedor:SP1
Série:-
Power - Max:250W
Caixa / Gabinete:SP1
Temperatura de operação:-
NTC Thermistor:Yes
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce:2.2nF @ 25V
Entrada:Standard
Tipo de IGBT:NPT
Descrição detalhada:IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 600V 65A 250W Chassis Mount SP1
Atual - Collector Cutoff (Max):250µA
Atual - Collector (Ic) (Max):65A
Configuração:Asymmetrical Bridge
Email:[email protected]

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