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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > AOD11S60
AOD11S60
AOD11S60
Modelo do Produto:
AOD11S60
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
61204 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.AOD11S60.pdf2.AOD11S60.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-AOD11S60
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:4.1V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-252, (D-Pak)
Série:aMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:399 mOhm @ 3.8A, 10V
Dissipação de energia (Max):208W (Tc)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:785-1264-1
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:545pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição detalhada:N-Channel 600V 11A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

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