3135GN-170M
Modelo do Produto:
3135GN-170M
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
FETS RF GAN 150V 3.1-3.5GHZ 55QP
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
66235 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
3135GN-170M.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-3135GN-170M
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - M:150V
Tensão - Saída:185W
Tensão - Breakdown:55QP
Série:-
Status de RoHS:Bulk
Polarização:55QP
Fator de ruído:60V
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:3135GN-170M
Freqüência:3.1GHz ~ 3.5GHz
Tipo FET:11.5dB ~ 11.8dB
Descrição expandida:RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) Common Source 60V 500mA 3.1GHz ~ 3.5GHz 11.5dB ~ 11.8dB 185W 55QP
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):500mA
Descrição:FETS RF GAN 150V 3.1-3.5GHZ 55QP
Potência nominal:5mA
Atual - Teste:-
Atual - Collector (Ic) (Max):2 N-Channel (Dual) Common Source
Email:[email protected]

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