1N5407G-T
1N5407G-T
Modelo do Produto:
1N5407G-T
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Status de RoHS:
Contém chumbo / Em conformidade com a RoHS
Quantidade em estoque:
33627 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1N5407G-T.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-1N5407G-T
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:1.1V @ 3A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):800V
Embalagem do dispositivo fornecedor:DO-201AD
Velocidade:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):2µs
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:DO-201AD, Axial
Outros nomes:1N5407GCT
1N5407GCT-ND
1N5407GDICT
Temperatura de Operação - Junção:-65°C ~ 150°C
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Tipo Diode:Standard
Descrição detalhada:Diode Standard 800V 3A Through Hole DO-201AD
Atual - dispersão reversa @ Vr:5µA @ 800V
Atual - rectificada média (Io):3A
Capacitância @ Vr, F:40pF @ 4V, 1MHz
Número da peça base:1N5407
Email:[email protected]

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