1N5406GHA0G
- Modelo do Produto:
- 1N5406GHA0G
- Fabricante:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- Descrição:
- DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 52191 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- 1N5406GHA0G.pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-1N5406GHA0G |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1V @ 3A |
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 600V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | DO-201AD |
| Velocidade: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Série: | Automotive, AEC-Q101 |
| Embalagem: | Tape & Box (TB) |
| Caixa / Gabinete: | DO-201AD, Axial |
| Temperatura de Operação - Junção: | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 12 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo Diode: | Standard |
| Descrição detalhada: | Diode Standard 600V 3A Through Hole DO-201AD |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 5µA @ 600V |
| Atual - rectificada média (Io): | 3A |
| Capacitância @ Vr, F: | 25pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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