MBRD660CTT4G
- Part Number:
- MBRD660CTT4G
- Producent:
- ON Semiconductor
- Opis:
- DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAK
- Status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Ilość w magazynie:
- 79843 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Czas produkcji:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MBRD660CTT4G.pdf
Wprowadzenie
We can supply MBRD660CTT4G, use the request quote form to request MBRD660CTT4G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number MBRD660CTT4G.The price and lead time for MBRD660CTT4G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# MBRD660CTT4G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Specyfikacje
| Wewnętrzny numer części | RO-MBRD660CTT4G |
|---|---|
| Stan | Original New |
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Najlepsze oznaczanie | email us |
| Zastąpienie | See datasheet |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 700mV @ 3A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 60V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | DPAK |
| Prędkość: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Seria: | SWITCHMODE™ |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Inne nazwy: | MBRD660CTT4GOSCT |
| Temperatura pracy - złącze: | -65°C ~ 175°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 5 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Schottky |
| Diode Configuration: | 1 Pair Common Cathode |
| szczegółowy opis: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 60V 3A Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 100µA @ 60V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 3A |
| Podstawowy numer części: | MBRD660CT |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MBRD660CTT4G
Latest Aktualności
- Onsemi wprowadziło na mosfet pierwszą opakowanie na poboczu na świecie 650 V
- Zestaw rozwojowy silnika ON Semiconductor koncentruje się przede wszystkim na wydajności energetycznej
- Platforma lidara ON Semiconductor z fotopowielaczem krzemowym (SiPM) z bezpośrednim czasem przelotu (dToF) zapewnia gotowe projekty do zastosowań przemysłowych
- ON Semiconductor i Theta Power Systems International nawiązują współpracę w zakresie aplikacji sterowania silnikami
- ON Semiconductor mianuje Hassane El-Khoury na następcę CEO (CEO)